離子束濺射（IBS）是一種在高真空環境下通過準直離子束轟擊靶材實現薄膜沉積的物理氣相沉積技術。該工藝利用離子源產生的單能離子束轟擊靶材表面，使靶材原子以高動能濺射至基片表面形成致密薄膜。相較于傳統濺射技術，其優勢在于可通過調節離子束能量和束流密度精確控制薄膜厚度與微觀結構。 IBS 系統的典型配置包括基板、靶材和網格離子源以及精密真空系統，通過擋板機構實現預轟擊與主沉積的工藝切換。技術特性體現在低溫沉積（15-300℃）、高附著力、優異均勻性（薄膜厚度誤差＜±1%）等方面，與其他PVD技術相比，離子束濺射?更精確，可以精確控制襯底的厚度。適用于金屬、氧化物及高熔點材料薄膜制備等。 當前該技術已廣泛應用于紫外光學鍍膜、半導體器件涂層、耐磨防護層等高端制造領域 青島鐳創/青島鐳視使用離子束濺射 (IBS) 沉積的光學鍍膜，反射率 >99.99%，受溫度、濕度等環境因素影響較小，表面粗糙度不再受鍍膜限制，涵蓋 266-1600nm 波長范圍，超快鍍膜的群延遲色散 (GDD) 控制，這種鍍膜技術具有很高的可重復性，非常適用于高反射率反射鏡、超快反射鏡，以及具有急劇過渡的濾光片。